ETSC - Центр Инженерно-Технических Решений

Справочная информация по продукции American Technical Ceramics

American Technical Ceramics

Компания American Technical Ceramics (сокращенно - ATC) была образована в Нью-Йорке в 1966 году и вначале называлась Phase Industries Inc. Свое нынешнее название компания получила в июне 1984 года. ATC разрабатывает и производит керамические и фарфоровые многослойные конденсаторы, однослойные керамические конденсаторы, индуктивности, резисторы и мощные нагрузки, а также заказные изделия на базе многослойной керамики для использования в ВЧ/СВЧ, медицинской аппаратуре, в системах ВОЛС, а также в широком спектре изделий специального назначения и аэрокосмической отрасли.

Компания имеет собственный исследовательский центр в Джексонвилле, Флорида (Jacksonville, Florida), деятельность которого направлена на создание новых компонентов и улучшение параметров уже существующих. Основное производство ATC сосредоточено в Хантигтон Стэйшн, Нью-Йорк (Huntington Station, New York), однако часть производства находится там же, где и исследовательский центр, — в Джексонвилле. Эта часть производства подверглась серьезной модернизации и в настоящее время позволяет производить высококачественные керамические структуры различных размеров, форм и внутренней конфигурации со строго заданными параметрами. Производство ATC сертифицировано по стандарту ISO-9001, а вся продукция сертифицирована по жестким стандартам MIL-PRF55342, MIL-STD202 и ANSI/J-STD-002.
Сбыт продукции осуществляется через широкую сеть представительств в США, Европе, Канаде и странах Азиатско-Тихоокеанского региона. Как было отмечено выше, продукцию ATC составляют много- и однослойные керамические и фарфоровые конденсаторы, различные резистивные продукты, чип-индуктивности, а также заказные специализированные тонкопленочные схемы.

 

Преимущества компании ATC:

  • Полная поддержка в России всего спектра продукции.
  • Специализированная продукция, превосходящая по спецификациям большинство мировых а также отечественных производителей.
  • Жесткий контроль качества. Вся продукция аттестована по индустриальным и военным стандартам.
  • Возможен заказ малых партий заказных однослойных конденсаторов и тонкопленочных схем.
  • Конкурентоспособные цены, гибкость производства, минимальные нормы заказа конденсаторов от 50...100 штук.
  • Компания АТС выпускает 50 различных наборов разработчика, содержащих полный ряд образцов конденсаторов, индуктивностей, резисторов, нагрузок.

Образцы продукции American Technical Ceramics
Образцы продукции
American Technical Ceramics

 

Офис компании ATC (штат Нью-Йорк)
Офис компании ATC
(штат Нью-Йорк)

Полная информация о продукции доступна на сайте производителя: http://www.atceramics.com/

Информационные брошюры и программное обеспечение:

Краткий обзор продукции American Technical Ceramics (на русском)
PDF atc_shortform_rus.pdf (2,15 Мб) - для просмотра необходим Adobe Acrobat Reader

Описание наборов конденсаторов, индуктивностей, резистивных продуктов для разработчкиков - наборов образцов компонентов ATС различных серий и номиналов (на английском).
PDF atc_design_kits.pdf (2,29 Мб) - для просмотра необходим Adobe Acrobat Reader

Руководство по разработке продуктов на основе многослойных керамических плат выполненных по LTCC - технологии. Заказная тонкопленочная продукция (на русском). Предоставляется исключительно в справочных целях!
PDF atc_ltcc_products_guide_rus.pdf (929 Кб) - для просмотра необходим Adobe Acrobat Reader

Программа TechSelect (на английском) позволяет определить на требуемой частоте значения добротности, ESR, ESL, Xc, Xl, Z,  и многие другие параметры конденсаторов АТС. Помимо этого, программа осуществляет подобор конденсаторов по требуемым характеристикам, а также формирование соответствующего наименования модели.
ZIP tselect60.zip (9,64 Мб) - для просмотра необходимо ПО для работы с архивами типа Zip

Продукция American Technical Ceramics:

 

многослойные керамические конденсаторы
Серия Диапазон значений емкостей,(pF) Материал диэлектрика, ТКЕ (ppm/°C) Типовое значение ESR (Ом) на номиналы емкостей (pF) на тестовых частотах Частота послед. резонанса,
(MHz)		 Рабочее напряжение
(WVDC)
[станд.(макс.)]		 Размер корпуса, дюйм (mm)
Емкость,
(pF)		 30
MHz		 150 MHz 500 MHz 1000 MHz
100A 0.1 ... 100 Porcelain
(P90)
+90 ±20		 1
10
100		 --
--
--		 0.170
0.067
0.028		 0.280
0.119
0.051		 0.390
0.168
0.072		 9110
3020
1000		 150 (250) .055 x .055
(1.40 x 1.40)
100B 0.1 ... 1000 Porcelain
(P90)
+90 ±20		 10
100
1000		 --
--
--		 0.047
0.033
0.015		 0.082
0.060
0.027		 0.115
0.085
--		 2030
680
230		 500 (1500) .110 x .110
(2.79 x 2.79)
100C 1 ... 2700 Porcelain
(P90)
+90 ±30		 10
100
1000
2700		 0.072
0.026
0.010
0.007		 0.139
0.057
0.023
0.016		 0.251
0.103
--
--		 0.355
--
--
--		 1457
475
155
95		 2500 .230 x .250
(5.84 x 6.35)
100E 1 ... 5100 Porcelain
(P90)
+90 ±30		 10
100
1000
5100		 0.076
0.030
0.018
0.010		 0.147
0.065
0.040
0.022		 0.266
0.119
--
--		 0.376
--
--
--		 1110
365
120
55		 3600 (7200) .380 x .380
(9.65 x 9.65)
700A 0.1 ... 1000 Porcelain
and Ceramic (NPO)
0 ±30		 1
10
100
1000		 --
--
--
--		 0.186
0.073
0.031
0.035		 0.308
0.130
0.056
0.064		 0.429
0.184
0.080
--		 9110
3020
1000
330		 150 (250) .055 x .055
(1.40 x 1.40)
700B 0.1 ... 5100 Porcelain
and Ceramic (NPO)
0 ±30		 10
100
1000
5100		 --
--
--
0.011		 0.051
0.036
0.038
0.025		 0.090
0.066
0.069
--		 0.126
0.093
--
--		 1840
620
210
100		 500 (1500) .110 x .110
(2.79 x 2.79)
700C 1 ... 2700 Porcelain
(NPO)
0 ±30		 10
100
1000
2700		 0.072
0.026
0.010
0.007		 0.139
0.057
0.023
0.016		 0.251
0.103
--
--		 0.355
--
--
--		 1457
475
155
95		 2500 .230 x .250
(5.84 x 6.35)
700E 1 ... 2200 Porcelain
(NPO)
0 ±30		 10
100
1000
2200		 0.076
0.030
0.018
0.014		 0.147
0.065
0.040
0.030		 0.266
0.119
0.073
0.055		 0.376
--
--
--		 1110
365
120
82		 3600 (7200) .380 x .380
(9.65 x 9.65)
600L 0.1 ... 27 Ultra-Low ESR,
High Q (NPO)
0 ±30		 1
10
27		 --
--
--		 --
--
--		 0.074
0.054
0.063		 0.074
0.072
0.086		 11,310
4230
2780		 200 .040 x .020
(1.20 x 0.51)
600S 0.1 ... 100 Ultra-Low ESR,
High Q (NPO)
0 ±30		 1
10
100		 --
--
--		 --
--
0.034		 0.120
0.058
0.043		 0.117
0.070
0.070		 10,500
5150
1200		 250 .063 x .032
(1.60 x 0.81)
600F 0.1 ... 240 Ultra-Low ESR,
High Q (NPO)
0 ±30		 1
10
100
240		 --
--
--
--		 --
--
--
--		 0.070
0.062
0.055
--		 0.084
0.078
0.078
--		 9050
3910
2010
--		 250 .079 x .049
(2.00 x 1.25)

800A		 0.1 ... 100 NPO Ceramic
0 ±30		 1
10
100		 --
--
--		 0.072
0.040
0.032		 0.078
0.048
0.048		 0.081
0.064
0.071		 10000
4000
1200		 250 .055 x .055
(1.40 x 1.40)

800B		 0.1 ... 1000 NPO Ceramic
0 ±30		 10
100
1000		 --
--
--		 0.038
0.027
0.024		 0.047
0.041
0.051		 0.064
0.060
--		 5300
2000
700		 500 .110 x .110
(2.79 x 2.79)
200A 510 ... 10,000 Ceramic
(BX)
±15%		 510
1000
10,000		 1.010
0.553
0.071		 2.238
1.226
0.157		 --
--
--		 --
--
--		 341
247
82		 50 .055 x .055
(1.40 x 1.40)
200B 5,000 ... 100,000 Ceramic
(BX)
±15%		 5,000
10,000
100,000		 0.202
0.133
0.033		 0.450
0.296
--		 --
--
--		 --
--
--		 89
63
20		 50 .110 x .110
(2.79 x 2.79)
900C .01µF ... 1µF Ceramic
(X7R)
±15%		 10,000
100,000
1µF		 0.059
0.034
0.020		 --
--
--		 --
--
--		 --
--
--		 50
16
5
300		 .230 x .250
(5.84 x 6.35)
 
 

однослойные конденсаторы
ATC предлагает однослойные конденсаторы серий 111, 113, 116, 117, 118 для наиболее требовательных применений (в том числе и в  миллиметровом диапазоне).  Каталог по однослойным конденсаторам АТС (на английском).
  • Диапазон емкостей от 0,03 пФ до 10000 пФ с разбросом от 0,05 пФ. Рабочая частота до 100 ГГц. Диэлектрическая константа К от 14 до 25000.
  • Рабочее напряжение - 100 Вольт, температурный коэффициент от 0±30 ppm/C.
  • Металлизация по тонко (Ti-W/Ni/Au) либо толстопленочной технологии (PtAu). Размер корпуса от 10 mils.
  • Пригодны для прямого разваривания СВЧ кристаллов.
  • Возможность производства заказных конфигураций для мелкосерийного и опытного производства, выводных конфигураций.
Ниже в таблицах представлены различные типы диэлектриков, используемых в однослойных конденсаторах АТС
Диэлектрики со стабильным значением диэлектрической постоянной К
Код диэлектрика K

ТКЕ (-55°C...+125°C)

 Диапазон номиналов Емкостей,
(pF)		 Коэфф. рассеивания @
1MHz , [Макс.](%)		 Добротность @ на тестовой частоте
A 14 +90±30 PPM/°C 0.04...5.6 0.01 11,000 @ 6.4 GHz
BB 31 0±30 PPM/°C 0.06...13 0.15 950 @ 4.5 GHz
CA 60 0±30 PPM/°C 0.1...27 0.15 770 @ 5 GHz
 
Диэлектрики со средним значением диэлектрической постоянной К
Код диэлектрика K

ТКЕ (-55°C...+125°C)

 Диапазон номиналов Емкостей,
(pF)		 Коэфф. рассеивания на тестовых частотах
[Макс.], (%)*		 Добротность @ на тестовой частоте
@1 MHz @1 KHz
CC 130 -750 ±200 PPM/°C 0.3...56 0.15 – 2310 @ 5 GHz
DA 165 -1500 ±500 PPM/°C 0.4...68 0.25 – 500 @ 1.8 GHz
DB 200 ±7.5% макс. изменение (не линейное) 0.5...82 0.25 – 29 @ 5 GHz
HC 420 -2000 ±500 PPM/°C 1.1...180 0.7 0.3 –
EA 650 -4700 ±1500 PPM/°C 1.5...270 0.3 0.3 –
* Значения емкости и коэффициента рассеяния (DF) измерены на частоте 1MHz для C ≤ 100 pF и на частоте 1 KHz для C > 100 pF
 
Диэлектрики с высоким значением диэлектрической постоянной К
Код диэлектрика K ТКЕ (-55°C...+125°C) Диапазон номиналов Емкостей,
(pF)		 Коэфф. рассеивания на тестовых частотах
[Макс.], (%)
@ 1 KHz @ 1 MHz
EC 650 ±10% макс. изменение (не линейное) 1.5...270 1.5 1.5
J 1100 +5%...-15% макс. изменение (не линейное) 2.4...470 2.5 2.0
F 2000 ±15% макс. изменение (не линейное) 4.3...820 2.5 2.0
GA 4000 ±15% 10...1800 4.0** 2.0**
 ** Коэффициент рассеяния (DF) составляет 6.5% (макс.) для серий 118, 113 и 117, изготовленных с применением процесса фотолитографии
 
Диэлектрики со сверхвысоким значением диэлектрической постоянной К
Код диэлектрика K ТКЕ (-55°C...+85°C) Диапазон Номиналов Емкостей,
(pF)		 Коэфф. рассеивания на  тестовых частотах
[Макс.],(%)*
@ 1 KHz @ 1 MHz
G 6000 +10%...-75% макс. изменение (не линейное) 13...2400 2.5 2.0
K 9000 0%...-92% макс. изменение (не линейное) 20...3300 4.0 2.0
L 16000 +0/-92% 33...6200 3.5 2.0
* Значения емкости и коэффициента рассеяния (DF) измерены на частоте 1MHz для C ≤ 100 pF и на частоте 1 KHz для C > 100 pF
Примечание: также доступен диэлектирик с кодом M с диэлектирческой постоянной 25000. См. тех. спецификации 116 серии.
 
 

сверхширокополосные конденсаторы
Сверхширокополосные конденсаторы АТС представлены сериями: 520L, 530L, 545L
  • Конденсатор серии 545L выпускается с номиналом 100нФ в корпусе 0402 (посадочный размер - 1мм х 0,5мм), и обеспечивает вносимое затухание менее 0,5 дБ в полосе от 16 КГц до 40ГГц. Данные конденсаторы обычно применяются в цепях обратной связи оптических коммуникационных систем, а также в схемах использующих высокоскоростную цифровую логику. Следует отметить высокую равномерность АЧХ данных конденсаторов. Конденсатор рассчитан на работу в диапазоне температур от -55 °C до +125 °C и обладает сравнительно небольшим ТКЕ (+/- 15%).
  • Конденсатор серии 530L изготаливается с номиналом 100нФ в корпусе 0402 и обеспечивает вносимое затухание около 1 дб в диапазоне частот от 16КГц до 18 ГГц. Данный широкополосный многослойный конденсатор использует диэлектрик типа X7R и обладает низкими вносимыми потерями.
  • Конденсатор серии 520L обладает сходными с 530L-серией параметрами, за исключением емкости (10нФ) и рабочего диапазона частот (от 160КГц до 16 ГГц).
 

конденсаторы миллиметрового диапазона
Конденсаторы АТС миллиметрового диапазона представлены серией 500S - уникальных патентованых широкополосных конденсаторов, которая превосходит по характеристикам как многослойные, так и однослойные конденсаторы. 500S сочетает очень низкие вносимые затухания с очень высокой частотой саморезонанса в усиленном корпусе (подходящем для поверхностного монтажа) с лазерной маркировкой. Некоторые параметры конденсатров серии 500S предствлены ниже в таблице.
 
Серия Диапазон
емкостей
(пФ)*		 Рабочее
напряжение
WVDC (В)		 ТКЕ
-55° to + 125°C
(ppm/°C)		 Типовые резонансные частоты Изоляция при
25°C
(МОм)		 Размер корпуса
дюймы (мм)
Емкость
(пФ)		 Послед. Параллел.
500S 0.1 … 10 пФ 100В 0±30 для C < 2.2 пФ
0±60 для C >2.4 пФ		 0.1
1
10		 28 GHz
15 GHz
7.8 GHz		 40 GHz
32 GHz
20 GHz		 10^5 .060 x .030
(1.52 x 0.762)
* Другие значения емкостей доступны по требованию
 
 

конденсаторы общего применения
Помимо специализированных конденсаторов, АТС предлагает многослойные чип-конденсаторы общего применения, которые не предназначены для прецизионных изделий, но подходят для многих массовых применений. Конденсаторы выпускаются в стандартных размерах (0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 1812 и 2225) и рядах. Информация о используемом в этих конденсаторах диэлектирке приведена ниже в таблице.
 
Тип диэлектрика ТКЕ Диапазон емкостей

Допуск*

 Рабочее Напряжение, (V) Коэфф. Рассеивания [Макс.], (%) Изоляция, [мин.], (Мом)
NPO 0±30 PPM/ºC
(–55°C ... +125°C)		 0.5 pF ... 0.12 uF B,C,G,J 16 ... 2000 0.1 105
X7R ±15%
(–55°C ... +125°C)		 120 pF ... 10 uF J, K 10 ... 2000 2.5 104
X5R ±15%
(–55°C ... +85°C)		 0.1 uF ... 33 uF K, M 10 ... 50 5.0 104
Z5U +22% –56%
(+10°C ... +85°C)		 .01 uF ... 22 uF M, Z 16 ... 200 3.5 103
Y5V +22% –82%
(–30°C ... +85°C)		 .01 uF ... 22 uF M, Z 16 ... 200 3.5 103
* B(±0,1 pF), C(±0,25 pF), G(2%), J(5%), K(10%), M(20%), Z(+80%-20%)
 
 

конденсаторные сборки большой мощности
АТС выпускает большое количество конденсаторных сборок большой мощности. Данная продукция характеризуется:
  • Низким эквивалентным последовательным сопротивлением (ESR), минимальными потерями на выводах, высокой частотой саморезонанса.
  • Высокой мощностью при работе в СВЧ диапазоне: низкие значения ESR и высокие значения напряжения пробоя диэлектрика допускают работу до 15 кВт в импульсе (900 Вт средняя мощность) на частоте 500 МГц (3000В, 17А СВЧ) в 50-омном тракте. В качестве еще одного примера можно привести работу в 50-омном тракте на частоте 1 ГГц и непрерывной мощности 500 Вт.
  • Разнообразным покрытием выводов, различной конфигурацией исполнения: чип, выводные, сборки, в том числе заказные с нестандартыми параметрами: рабочее напряжение (до 7200В в паралл. конфигурации; до 20000В в послед. конфигурации), ток (до 130А / сборка), емкость до 36000пФ., ESR, добротность, точность и некоторые другие.
 

чип-индуктивности
Размер корпуса Диапазон значений индуктивности, (nH) Код отклонения* Мин. значение добротности Типовое значении частоты послед. резонанса,  (MHz)

 Макс. значение сопротивления,  (Ohm) Ток,
 (mA)
0402 1.0 @ 250 MHz ...
56 @ 250 MHz		 J,K 16 … 25 >6000 0.045 1360
1760 0.097 100
0603 1.6 @ 250 MHz ...
5.6 @ 250 MHz		 J,K 16 … 40 12,500 0.040 700
5800 0.170 700
6.8 @ 250 MHz ...
390 @ 100 MHz		 G,J,K 5800 0.110 700
900 4.350 100
0805 2.8 @ 250 MHz ...
8.2 @ 250 MHz		 J,K 16 … 80 7900 0.060 800
4700 0.120 600
10 @ 250 MHz ...
2700 @ 25 MHz		 G,J,K 4200 0.100 600
50 2.950 150
1008 10 @ 50 MHz ...
27 @ 50 MHz		 G,J,K 15 … 65 4100 0.08 1000
1600 0.13 1000
33 @ 50 MHz ...
15,000 @ 2.52 MHz		 1600 0.14 1000
15 11.5 120
* G(2%), J(5%), K(10%)
 
 

резистивные изделия (резисторы, нагрузки, аттенюаторы)
АТС производит полный спектр резистивных компонентов, изготовленных на основе  нетоксичного нитрида алюминия.
  • резисторы от 25 до 500 Ом, терминаторы от 5 до 300 Вт (КСВ от 1.05:1 до 1.20:1)
  • аттенюаторы от 1 до 30 дБ. Стандартная точность 5%, а также 1%, 2%. Температурный диапазон -55...150°C. Диапазон рабочих частот до 18ГГц
  • различное исполнение: чип, выводное (серебрянные выводы), фланцевое
  • производство заказных изделий по требованию заказчика