Новости

Данный раздел посвящен наиболее значимым событиям, относящимся к деятельности нашей компании, а также новостям касающихся поставляемой нами продукции.

Многофункциональные цифровые измерители проходной мощности Werlatone

Компания Werlatone анонсировала выпуск новой линейки продукции - многофункциональных цифровых измерителей проходной мощности. Линейка содержит модели предназначенных для включения как в коаксиальный, так и в волноводный тракт. Измеряемая мощность зависит от модели, и может достигать 10кВт (в непрерывном режиме).

Помимо измерения уровней прямой и обратной мощности (Вт, дБм), данные измерители позволяют также контролировать КСВН и температуру (как внутри измерителя, так и при помощи внешнего датчика).

Цифровые измерители мощности оснащены широким спектром интерфейсов (Ethernet, RS485, RS232, CANBUS) и обладают гибкими возможностями по конфигурированию и управлению (как при помощи SMNP, так и при помощи веб-браузера). Помимо этого, измерители обладают 6-ю конфигурируемыми многофункциональными входами, позволяющими обрабатывать различные внешние события.

Измерители мощности также могут комплектоваться внешним 8-ми канальным регистратором показаний для монтажа в стойку(1U), а также специализированным ПО для Windows и Android.
Питание измерителей осуществляется как при помощи блока питания от сети переменного тока, так и удаленно (POE, либо через интерфейс RS485).
Многофункциональные цифровые измерители проходной мощности Werlatone

Приглашаем посетить наш стенд на выставке "Экспоэлектроника 2018"

Приглашаем всех желающих посетить наш стенд C309 (ПАВИЛЬОН 3, ЗАЛ 14) на выставке "ЭКСПОЭЛЕКТРОНИКА", которая будет проходить в выставочном комплексе "КРОКУС-ЭКСПО" с 17 по 19 апреля 2018 года.

В рамках выставки пройдут встречи с представителями компаний-производителей представляемой нами продукции. Также на нашем стенде можно получить различную информационно - справочную литературу, и задать интересующие Вас вопросы нашим инженерам.

ПОЛУЧИТЬ БЕСПЛАТНЫЙ БИЛЕТ НА ВЫСТАВКУ ЭКСПОЭЛЕКТРОНИКА 2018.

"ЭКСПОЭЛЕКТРОНИКА" - крупнейшая в России и Восточной Европе выставка электронных компонентов и технологического оборудования, проходящая в Москве с 1998 года и ежегодно демонстрирующая новинки отрасли.

Новый GaN-on-SiC транзистор Integra Technologies: 50Вт (5.2-5.9 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала выпуск нового GaN-on-SiC (Нитрид галлия на карбиде кремния) транзистора, IGT5259L50 согласованного по входу и выходу на 50 Ом и предназначенного для импульсных радарных применений C-диапазона.
Транзистор IGT5259L50 работает в диапазоне частот 5,2-5,9 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 1мс и коэффициентом заполнения 15%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 50Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 43%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.

Все выпускаемые транзисторы проходят 100% ВЧ тестирование в режиме номинальной выходной мощности в специализированной тестовой оснастке и соотвествуют требованиям стандарта MIL-STD-750D.
IGT5259L50

Новый GaN-on-SiC транзистор Integra Technologies: 500Вт (1.2-1.4 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала выпуск нового GaN-on-SiC (Нитрид галлия на карбиде кремния) транзистора, IGN1214L500B предназначенного для радарных применений L-диапазона с большой длительностью импульса.

Транзистор IGN1214L500B работает в диапазоне частот 1,2-1,4ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 2мс и коэффициентом заполнения 20%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 500Вт при усилении 15,5дБ и КПД порядка 65%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.
IGN1214L500B

Новые GaN-on-SiC HEMT транзисторы Integra Technologies: 550Вт (1.2-1.4 ГГц), 200Вт (2,7-3,1 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT (Нитрид галлия на карбиде кремния ПВПЭ) транзистора, один из которых IGN1214M500R2 предназначен для радарных применений L-диапазона, а второй - IGN2731M200 - для применения в системах радиолокации S-диапазона.

Транзистор IGN1214M500R2 работает в диапазоне частот 1,2-1,4ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 100мкс и коэффициентом заполнения 10%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 550Вт при усилении 17дБ и КПД порядка 70%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.

Второй представленный транзистор - IGN2731M200 работает в диапазоне частот 2,7-3,1 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 300мкс и коэффициентом заполнения 10%,транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 200Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 54%. Напряжение питания транзистора составляет 44В.
IGN1214M500R2 и IGN2731M200
© 2018 ООО «ВЕКТ» (Центр Инженерно-Технических Решений™).