ETSC - Центр Инженерно-Технических Решений

Справочная информация по продукции Integra Technologies

Integra Technologies, Inc.

Integra Technologies, Inc. является одним из мировых лидеров в разработке, технологии, производстве высокомощных транзисторов для применения в радиолокации а также специальных системах беспроводной связи. Компания является сертифицированным по ISO 9001:2000 производителем. Продукция отвечает требованиям отраслевых стандартов для использования в военных разработках.

Фабрика Integra Technologies (Лос-Анжелес, Калифорния) оснащена чистой комнатой (класс-100) для производства 150мм пластин. Сборка транзисторов и 100% функциональное тестирование производятся там же на полностью автоматизированном производстве. В настоящий момент зто крупнейшая и наиболее современная производственная площадка в мире, оснащенная процессом металлизации золотом, позволяющая производить более чем 20000 транзисторов в месяц (250 150мм пластин/мес.) Перечень запатентованной продукции включает в себя биполярные и полевые (технологии: MOSFET, LDMOS, VDMOS) транзисторы, СВЧ усилители мощности, гибридные транзисторные сборки для нужд радиолокации, авионики, вещания, а также  военных применений.
Integra Technologies выделяется как производитель транзисторов, имеющих, благодаря патентованной технологии, наилучшие показатели в промышленности по выходной мощности, ширине импульса, усилению, кпд, стойкости к рассогласованию. Все заказчики в России независимо от конечного применения имеют доступ к производству модифицированных транзисторов, созданных с учетом особенностей режима работы под конкретное применение, производству гибридных транзисторных сборок и усилителей мощности, а также к квалифицированной технической поддержке, в том числе, и на русском языке.

Преимущества компании Integra Technologies:

  • Вертикальная интеграция: от разработки топологии транзисторов до производства транзисторов, сборок, усилителей — всё в одном месте.
  • Очень высокая производственная мощность.
  • Опыт работы в России.
  • Быстрота и созидательность небольшой узкоспециализированной компании.
  • Финансовая стабильность. Следствие: низкая общая себестоимость.
  • Исполнительность и обязательность руководства.
  • Опыт в конструировании СВЧ транзисторов и цепей; Модификации транзисторов под конкретное применение, режим работы.
  • Необходимое звено для любого производителя усилителей мощности, техническая поддержка специалистов завода на Русском языке.
  • Отсутствие ограничений на экспорт всей продукции в Россию.

Образцы продукции Integra Technologies

Образцы продукции
Integra Technologies, Inc.

 

Центральный офис Integra Technologies, Inc.

Центральный офис
Integra Technologies, Inc.

Полная информация о продукции доступна на сайте производителя: http://www.integratech.com/

Информационные брошюры:

Информация о компании и обзор продукции Integra Technologies (на русском)
PDF integra_brochure_rus.pdf (1,13 Mб) - для просмотра необходим Adobe Acrobat Reader

Продукция Integra Technologies:

 

транзисторы для применения в диапазонах VHF/UHF (непрерывный режим)
Параметры Вых. Мощность,
(W)
[Ном.]		 Уровень вх. мощности,
(W)		 Коэфф. усиления
(dB),
[Ном.]		 Мин. возвратные потери по входу,
(dB)		 Питание,
(V)		 КПД,
(%)
[Ном.]		 Наименование транзистора
1-200 MHz 320 10.0 14.5 15 50 55 IDM175CW300
1-500 MHz ≥80 - - 10 28 - IDM500CW80
≥120 - - 10 28 - IDM500CW120
≥150 - - 10 28 - IDM500CW150
250 20 11.0 10 28 66 IDM500CW200
330 37 9.5 10 28 68 IDM500CW300
30-512 MHz 20 - - - 28 - IDM30512CW20
50 - - - 28 - IDM30512CW50
100 - - - 28 - IDM30512CW100
 
 

транзисторы для применения в системах связи и опознавания
Параметры Вых. Мощность,
(W)
[Ном.]		 Уровень вх. мощности,
(W)		 Коэфф. усиления
(dB),
[Ном.]		 Мин.возвратные потери по входу,
(dB)		 Питание,
(V)		 КПД,
(%)
[Ном.]		 Наименование транзистора
Для систем JTIDS/MIDS
960-1215MHz,
5,8 ms длит. пачки, Q=4,5		 32 2.7 10.7 10.0 36 61 IB0912L30
73 5 11.6 9.0 44 58 IB0912L70
235 22 10.3 10.0 44 56 IB0912L200
Для систем опознавания запросчик/ответчик
1030/1090 MHz,
10us длит.импульса, Q=100		 87 8 10.4 10.0 50 70 IB1011S70
200 12 12.2 10.0 60 70 IB1011S190
285 32 9.5 10.0 50 61 IB1011S250
350 25 11.5 10.0 50 59 IB1011S350
1070 112 9.8 10.0 50 57 IB1011S1000
1570 168 9.7 10.0 60 51 IB1011S1500
Для систем DME
1025-1150 MHz
10us длит.импульса, Q=100		 12 0.9 11.3 14.3 50 43 IB1012S10
22 2 10.4 10.0 50 51 IB1012S20
57 5 10.6 10.0 50 49 IB1012S50
158 15 10.2 10.0 50 53 IB1012S150
530 50 10.3 10.0 50 54 IB1012S500
858 85 10.0 9.0 50 50 IB1012S800
1160 120 9.8 9.0 60 50 IB1012S1100
Для систем TACAN
960-1215 MHz
10us длит.импульса, Q=10		 94.7 6 12 9.0 50 64 IB0912M70
242 14 12.37 10.0 50 65 IB0912M210
365 33 10.7 10.0 50 55 IB0912M350
555 90 7.8 9.0 50 56 IB0912M500
637 90 8.5 9.0 50 53 IB0912M600
Для систем TCAS
1030/1090 MHz
32us длит.импульса, Q=50		 1145 145 9.0 10.0 60 44 IB1011M1100
Режим S (запросчик)
1030 MHz Пачка 128 импульсов, 0.5us длит.импульса, Qпачки=100		 11 1.0 10.4 10.0 50 52 IB1011M10
25.1 0.9 13.8 10.0 50 61.4 IB1011M20
75 8.8 9.2 10.0 50 65 IB1011M70
151 9 12.2 10.0 50 56 IB1011M140
205 12 12.3 10.0 50 75 IB1011M190
260 39.6 8.4 10.0 50 61 IB1011M250
375 31.2 11.1 10.0 50 72 IB1011M350
705 55 11.1 10.0 50 57 IB1011M660
825 110 8.8 10.0 50 52 IB1011M800
1040 126 9.2 10.0 50 58 IB1011M1000
Режим S-ELM
1030 MHz Пачка 48 импульсов,
32us длит.импульса,18us пауза, Qпачки=16

 17 0.6 14.5 10.0 48 67 IB1011L15
45 4.8 9.7 10.0 48 57 IB1011L40
120 9.5 11.0 10.0 48 65 IB1011L110
235 27 9.3 10.0 48 56 IB1011L220
520 50 10.2 10.0 48 57 IB1011L470
1.45-1.55 GHz
100us длит. пачки импульсов, Qпачки=100		 650 96.5 8.28 8 50 46 IB1416S650
LDMOS
Для систем DME
1025-1150 MHz
10us длит.импульса, 1%		 646 13 16.85 9 50 45 ILD1012S500HV
Для систем TACAN
960-1215 MHz
10us длит.импульса, Q=10		 60 1.28 16.8 10.0 30 48 ILD0912M60
Для систем TACAN
960-1215 MHz
10us длит.импульса, 10%, 50В		 21 0.8 14.2 5.0 50 42 ILD0912M15HV
158 21 8.8 10.0 50 47 ILD0912M150HV
410 50 9.1 9.0 50 46 ILD0912M400HV

1030/1090 MHz
50us длит.импульса, Q=50		 20.5 0.75 14.4 10.0 28 47 ILD1011M15
45.5 1.0 16.6 10.0 28 63 ILD1011M30
164 7.0 14.0 10.0 32 54 ILD1011M150
267 10.0 14.3 10.0 32 47 ILD1011M250
400 11.0 15.6 10.0 32 56 ILD1011M400
25 0.5 17.0 10.0 50 46 ILD1011M15HV
179 4.0 16.5 10.0 50 53 ILD1011M160HV
325 9.0 15.6 10.0 50 48 ILD1011M280HV
506 10.0 17.0 9.0 50 47 ILD1011M450HV
590 13.0 16.6 9.0 50 47 ILD1011M550HV
1080 30 15.6 10.0 50 46 ILD1011M1000HV
 
 

транзисторы для применения в радарах VHF/UHF/L - диапазонов
Параметры Вых. Мощность,
(W)
[Ном.]		 Уровень вх. мощности,
(W)		 Коэфф. усиления
(dB),
[Ном.]		 Мин.возвратные потери по входу,
(dB)		 Питание,
(V)		 КПД,
(%)
[Ном.]		 Наименование транзистора
VHF -диапазон
125-167 MHz
1ms длит.импульса, Q=5		 660 80.0 9.2 10 34 62 IDM165L650
190-265 MHz
1ms длит.импульса, Q=5		 690 110 8.0 10 34 58 IDM265L650
UHF -диапазон
450 MHz
30us длит.импульса, Q=10		 321 25 11.1 9 40 63 IB450S300
533 60 9.5 10 40 68 IB450S500
870-990 MHz
300us длит.импульса, Q=7		 13.7 2.4 7.6 10 36 53 IB0810M12
53 8.3 8.1 10 36 52 IB0810M50
108 10 10.3 10 36 69 IB0810M100
222 34 8.1 10 36 59 IB0810M210
LDMOS
480-610 MHz
15ms длит.импульса, 33%		 350 11.0 15.0 7.0 45 53 ILD0506EL350
L - диапазон
1.2-1.4 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 6.3 0.8 9.0 10 28 47 IB1214M6
46 4 10.6 10 40 54 IB1214M32
63 8.7 8.6 10 40 47 IB1214M55
176 27.3 8.1 10 40 50 IB1214M150
333 60 7.4 10 40 54 IB1214M300
1.2-1.4 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 152 20 8.81 8.15 50 53.8 IB1214M130
375 49.66 8.78 8 42 59.9 IB1214M375
1.45-1.55 GHz
100us длит. пачки импульсов, Qпачки=100		 650 96.5 8.28 8 50 46 IB1416S650
LDMOS
1.2-1.4 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 71 3 13.71 19 30 48 ILD1214M60
1.2-1.4 GHz
1ms длит.импульса, Q=10		 250 14.2 12.5 19.7 30 60.3 ILD1214L250
1.2-1.4 GHz
16ms длит.импульса, Q=2		 40 1.5 14.2 7 30 40 ILD1214EL40
200 12.4 12.1 7 30 42 ILD1214EL200
 
 

транзисторы для применения в радарах S - диапазона
Параметры Вых. Мощность,
(W)
[Ном.]		 Уровень вх. мощности,
(W)		 Коэфф. усиления
(dB),
[Ном.]		 Мин. возвратные потери по входу,
(dB)		 Питание,
(V)		 КПД,
(%)
[Ном.]		 Наименование транзистора
2.2-2.6 GHz
200us длит.импульса, Q=10		 90 13 8.4 7.0 38 48 IB2226M80
180 25.5 8.5 9.0 38 54 IB2226M160
20 2.0 10.0 9.0 36 41 IB2226MH15
120 16.0 8.7 10 36 42 IB2226MH110
2.7-2.9 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 6.5 1.0 8.1 7.0 32 42 IB2729M5
30 3.5 9.3 7.0 36 45 IB2729M25
100 10.5 9.8 7.0 36 51 IB2729M90
192 21.4 9.5 7.0 36 50 IB2729M170
2.7-3.1 GHz
200us длит.импульса, Q=10		 125 16.0 9.4 7.0 36 50 IB2731M110
31 3.3 9.7 8.8 36 43 IB2731MH25
125 15.0 9.2 8.65 36 45 IB2731MH110
2.9-3.1 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 70 8.5 9.0 7.0 36 49 IB2931MH55
178 24.0 8.7 7.0 36 42 IB2931MH155
2.9-3.4 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 110 17.8 7.9 9.0 36 40 IB2934M100
3.1-3.4 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 17 2.5 8.3 7.0 36 45 IB3134M15
27 2.6 10.1 10.0 36 47 IB3134M25
80 12.0 8.2 7.0 36 50 IB3134M70
125 14.0 9.5 10.0 36 42 IB3134M100
3.1-3.5 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 5 0.9 7.4 6.0 36 30 IB3135MH5
25 3.5 8.5 6.0 36 35 IB3135MH20
55 6.5 9.3 8.0 36 42 IB3135MH45
92 14.0 8.2 7.0 36 49 IB3135MH65
96 13.0 8.7 7.0 36 49 IB3135MH75
140 16.3 9.3 8.0 36 45 IB3135MH100
LDMOS
2.7-3.1 GHz
100us длит. импульса, Q=10		 37 2.0 12.5 7.0 28 46 ILD2731M30
2.7-3.1 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 150 14.0 11.0 7.0 32 45 ILD2731M140
2.9-3.3 GHz
300us длит.импульса, 10%		 160 12.0 11.0 7.0 32 45 ILD2933M130
3.1-3.5 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 36 3.5 10.2 23.3 28 44 ILD3135M30
3.1-3.5 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 154 14.0 10.4 14.0 32 41 ILD3135M120
3.1-3.5 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 225 14.0 11.0 7.0 32 37 ILD3135M180
3.1-3.5 GHz
16ms длит.импульса, Q=50		 28 2.75 10.0 7.0 28 35 ILD3135EL20
Для применения в медицинской технике
2.856 GHz
12us длит.импульса, Q=33		 39 4.0 9.8 10.0 40 50 IB2856S30
300 27.5 10.4 10.0 40 50 IB2856S250
3.000 GHz
12us длит.импульса, Q=100		 73 5.0 11.7 7.0 40 52 IB3000S60
250 28 9.5 10.0 40 48 IB3000S200
 
 

усилительные субмодули (палЛеты)
Параметры Вых. Мощность,(W) [Ном.] Уровень вх. мощности,
(W)		 Коэфф. усиления (dB), [Ном.] Мин. возвратные потери по входу,
(dB)		 Питание,
(V)		 КПД,
(%)
[Ном.]		 Наименование
Режим S-ELM  запросчик
1030 MHz Пачка 48 импульсов,
32us длит.импульса, 18us пауза, Qпачки=15 		 940 120 9.7 10.0 48 50.0 IBP1011L900
1.2-1.4 GHz
200us длит.импульса, Q=10		 700 110 8.0 10.0 42 50.0 IBP1214M700
2.25-2.55 GHz
200us длит.импульса, Q=10		 300 50 7.7 10.0 34 40.0 IBP2226M300
2.7-2.9 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 300 53 7.5 10.0 36 35.0 IBP2729M300
2.7-2.9 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 320 44 8.5 16.0 36 47.0 IBP2729MH300
2.7-3.1 GHz
200us длит.импульса, Q=10		 200 27.0 8.7 10.0 36 38.0 IBP2731M200
3.1-3.4 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 25 2.6 9.8 10.0 36 48.0 IBP3134M25
2.9-3.4 GHz
100us, 10%		 215 38 7.5 9.0 36 45.0 IBP2934M190
3.1-3.4 GHz
200us длит.импульса, Q=10		 220 28 9.0 8.0 36 40.0 IBP3134M220
3.1-3.5 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 150 27 7.5 8.0 36 40.0 IBP3135M150
3.1-3.5 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 227 32 8.5 8.0 36 38.0 IBP3135MH200
Возможно исполнение паллет со встроенным циркулятором (см. образец справа)
 Паллета со встроенным циркулятором 
 

усилители в транзисторном корпусе для применения в S-диапазоне
Параметры Уровень вх. мощности,
(W)		 Вых. Мощность,
(W)
[Ном.]		 Коэфф. усиления
(dB),
[Ном.]		 Мин. возвратные
потери по входу,
(dB)		 Питание,
(V)

Наименование
2.7-3.1 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 2.0 20 10 -18 28 MPAL2731M15
2.7-3.1 GHz
300us длит.импульса, Q=10		 4.0 40 10 -18 28 MPAL2731M30
2.7-3.1 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 14.0 150 11 -18 28 MPAL2731M130
3.0-3.5 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 2.0 20 10 -18 28 MPAL3035M15
3.0-3.5 GHz
100us длит.импульса, Q=10		 4.0 40 10 -18 28 MPAL3035M30
Представленные в данной таблице усилители могут работать в режимах: А, АВ, В